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由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面较易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更*受热击穿,反向漏电流比PN结二极管。
SBD的结构及特点使其适合于在低压、DA电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流,肖特基MBR40100FCT,在高速计算机中被广泛采用。
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ASEMI肖特基二极管新品介绍——
SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,肖特基MBR4060PT,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,肖特基MBR,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,肖特基MBR4060CT,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。